Koupit Infineon Technologies IPS65R650CEAKMA1 MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

IPS65R650CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK

Číslo dílu

IPS65R650CEAKMA1

Výrobce/značka

Infineon Technologies

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tube

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček/pouzdro

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Dodavatelský balíček zařízení

IPAK (TO-251)

Ztráta energie (max.)

86W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

700V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

10.1A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 210µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 53900 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

IPS6-04-01-L

PESS SUB-IPS6 ASSEMBLY

Samtec Inc.

IPS6041GPBF

INTELLIGENT PWR SW 1CH 8SOIC

Infineon Technologies

IPS6041GTRPBF

IC IPS SW HI SIDE DVR 1CH 8SOIC

Infineon Technologies

IPS6041PBF

IC SWITCH IPS HI SIDE TO-220-5

Infineon Technologies