Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPS65R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
Číslo dílu
IPS65R1K0CEAKMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251
Ztráta energie (max.)
37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
328pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49308 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPS65R1K0CEAKMA1
IPS65R1K0CEAKMA1 Elektronické komponenty
IPS65R1K0CEAKMA1 Odbyt
IPS65R1K0CEAKMA1 Dodavatel
IPS65R1K0CEAKMA1 Distributor
IPS65R1K0CEAKMA1 Datová tabulka
IPS65R1K0CEAKMA1 Fotky
IPS65R1K0CEAKMA1 Cena
IPS65R1K0CEAKMA1 Nabídka
IPS65R1K0CEAKMA1 Nejnižší cena
IPS65R1K0CEAKMA1 Vyhledávání
IPS65R1K0CEAKMA1 Nákup
IPS65R1K0CEAKMA1 Chip