Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPS135N03LGAKMA1

IPS135N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Číslo dílu
IPS135N03LGAKMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50888 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPS135N03LGAKMA1
IPS135N03LGAKMA1 Elektronické komponenty
IPS135N03LGAKMA1 Odbyt
IPS135N03LGAKMA1 Dodavatel
IPS135N03LGAKMA1 Distributor
IPS135N03LGAKMA1 Datová tabulka
IPS135N03LGAKMA1 Fotky
IPS135N03LGAKMA1 Cena
IPS135N03LGAKMA1 Nabídka
IPS135N03LGAKMA1 Nejnižší cena
IPS135N03LGAKMA1 Vyhledávání
IPS135N03LGAKMA1 Nákup
IPS135N03LGAKMA1 Chip