Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPS12CN10LGBKMA1

IPS12CN10LGBKMA1

MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
Číslo dílu
IPS12CN10LGBKMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.8 mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5600pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22095 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPS12CN10LGBKMA1
IPS12CN10LGBKMA1 Elektronické komponenty
IPS12CN10LGBKMA1 Odbyt
IPS12CN10LGBKMA1 Dodavatel
IPS12CN10LGBKMA1 Distributor
IPS12CN10LGBKMA1 Datová tabulka
IPS12CN10LGBKMA1 Fotky
IPS12CN10LGBKMA1 Cena
IPS12CN10LGBKMA1 Nabídka
IPS12CN10LGBKMA1 Nejnižší cena
IPS12CN10LGBKMA1 Vyhledávání
IPS12CN10LGBKMA1 Nákup
IPS12CN10LGBKMA1 Chip