Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
Číslo dílu
IPP80R1K4P7XKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
32W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 500V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39893 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP80R1K4P7XKSA1
IPP80R1K4P7XKSA1 Elektronické komponenty
IPP80R1K4P7XKSA1 Odbyt
IPP80R1K4P7XKSA1 Dodavatel
IPP80R1K4P7XKSA1 Distributor
IPP80R1K4P7XKSA1 Datová tabulka
IPP80R1K4P7XKSA1 Fotky
IPP80R1K4P7XKSA1 Cena
IPP80R1K4P7XKSA1 Nabídka
IPP80R1K4P7XKSA1 Nejnižší cena
IPP80R1K4P7XKSA1 Vyhledávání
IPP80R1K4P7XKSA1 Nákup
IPP80R1K4P7XKSA1 Chip