Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Číslo dílu
IPP65R190C6XKSA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
151W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1620pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25851 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP65R190C6XKSA1
IPP65R190C6XKSA1 Elektronické komponenty
IPP65R190C6XKSA1 Odbyt
IPP65R190C6XKSA1 Dodavatel
IPP65R190C6XKSA1 Distributor
IPP65R190C6XKSA1 Datová tabulka
IPP65R190C6XKSA1 Fotky
IPP65R190C6XKSA1 Cena
IPP65R190C6XKSA1 Nabídka
IPP65R190C6XKSA1 Nejnižší cena
IPP65R190C6XKSA1 Vyhledávání
IPP65R190C6XKSA1 Nákup
IPP65R190C6XKSA1 Chip