Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP65R110CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Číslo dílu
IPP65R110CFDAAKSA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
277.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45796 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP65R110CFDAAKSA1
IPP65R110CFDAAKSA1 Elektronické komponenty
IPP65R110CFDAAKSA1 Odbyt
IPP65R110CFDAAKSA1 Dodavatel
IPP65R110CFDAAKSA1 Distributor
IPP65R110CFDAAKSA1 Datová tabulka
IPP65R110CFDAAKSA1 Fotky
IPP65R110CFDAAKSA1 Cena
IPP65R110CFDAAKSA1 Nabídka
IPP65R110CFDAAKSA1 Nejnižší cena
IPP65R110CFDAAKSA1 Vyhledávání
IPP65R110CFDAAKSA1 Nákup
IPP65R110CFDAAKSA1 Chip