Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP12CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Číslo dílu
IPP12CN10LGXKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5600pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10293 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP12CN10LGXKSA1
IPP12CN10LGXKSA1 Elektronické komponenty
IPP12CN10LGXKSA1 Odbyt
IPP12CN10LGXKSA1 Dodavatel
IPP12CN10LGXKSA1 Distributor
IPP12CN10LGXKSA1 Datová tabulka
IPP12CN10LGXKSA1 Fotky
IPP12CN10LGXKSA1 Cena
IPP12CN10LGXKSA1 Nabídka
IPP12CN10LGXKSA1 Nejnižší cena
IPP12CN10LGXKSA1 Vyhledávání
IPP12CN10LGXKSA1 Nákup
IPP12CN10LGXKSA1 Chip