Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP110N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Číslo dílu
IPP110N20N3GXKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6205 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP110N20N3GXKSA1
IPP110N20N3GXKSA1 Elektronické komponenty
IPP110N20N3GXKSA1 Odbyt
IPP110N20N3GXKSA1 Dodavatel
IPP110N20N3GXKSA1 Distributor
IPP110N20N3GXKSA1 Datová tabulka
IPP110N20N3GXKSA1 Fotky
IPP110N20N3GXKSA1 Cena
IPP110N20N3GXKSA1 Nabídka
IPP110N20N3GXKSA1 Nejnižší cena
IPP110N20N3GXKSA1 Vyhledávání
IPP110N20N3GXKSA1 Nákup
IPP110N20N3GXKSA1 Chip