Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP083N10N5AKSA1

IPP083N10N5AKSA1

MOSFET N-CH TO220-3
Číslo dílu
IPP083N10N5AKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.3 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 49µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2730pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12231 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPP083N10N5AKSA1
IPP083N10N5AKSA1 Elektronické komponenty
IPP083N10N5AKSA1 Odbyt
IPP083N10N5AKSA1 Dodavatel
IPP083N10N5AKSA1 Distributor
IPP083N10N5AKSA1 Datová tabulka
IPP083N10N5AKSA1 Fotky
IPP083N10N5AKSA1 Cena
IPP083N10N5AKSA1 Nabídka
IPP083N10N5AKSA1 Nejnižší cena
IPP083N10N5AKSA1 Vyhledávání
IPP083N10N5AKSA1 Nákup
IPP083N10N5AKSA1 Chip