Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP072N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Číslo dílu
IPP072N10N3GHKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4910pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5740 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP072N10N3GHKSA1
IPP072N10N3GHKSA1 Elektronické komponenty
IPP072N10N3GHKSA1 Odbyt
IPP072N10N3GHKSA1 Dodavatel
IPP072N10N3GHKSA1 Distributor
IPP072N10N3GHKSA1 Datová tabulka
IPP072N10N3GHKSA1 Fotky
IPP072N10N3GHKSA1 Cena
IPP072N10N3GHKSA1 Nabídka
IPP072N10N3GHKSA1 Nejnižší cena
IPP072N10N3GHKSA1 Vyhledávání
IPP072N10N3GHKSA1 Nákup
IPP072N10N3GHKSA1 Chip