Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP055N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
Číslo dílu
IPP055N03LGXKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51157 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP055N03LGXKSA1
IPP055N03LGXKSA1 Elektronické komponenty
IPP055N03LGXKSA1 Odbyt
IPP055N03LGXKSA1 Dodavatel
IPP055N03LGXKSA1 Distributor
IPP055N03LGXKSA1 Datová tabulka
IPP055N03LGXKSA1 Fotky
IPP055N03LGXKSA1 Cena
IPP055N03LGXKSA1 Nabídka
IPP055N03LGXKSA1 Nejnižší cena
IPP055N03LGXKSA1 Vyhledávání
IPP055N03LGXKSA1 Nákup
IPP055N03LGXKSA1 Chip