Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP048N06L G
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Číslo dílu
IPP048N06L G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14183 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP048N06L G
IPP048N06L G Elektronické komponenty
IPP048N06L G Odbyt
IPP048N06L G Dodavatel
IPP048N06L G Distributor
IPP048N06L G Datová tabulka
IPP048N06L G Fotky
IPP048N06L G Cena
IPP048N06L G Nabídka
IPP048N06L G Nejnižší cena
IPP048N06L G Vyhledávání
IPP048N06L G Nákup
IPP048N06L G Chip