Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP039N04LGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Číslo dílu
IPP039N04LGXKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 45µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32462 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP039N04LGXKSA1
IPP039N04LGXKSA1 Elektronické komponenty
IPP039N04LGXKSA1 Odbyt
IPP039N04LGXKSA1 Dodavatel
IPP039N04LGXKSA1 Distributor
IPP039N04LGXKSA1 Datová tabulka
IPP039N04LGXKSA1 Fotky
IPP039N04LGXKSA1 Cena
IPP039N04LGXKSA1 Nabídka
IPP039N04LGXKSA1 Nejnižší cena
IPP039N04LGXKSA1 Vyhledávání
IPP039N04LGXKSA1 Nákup
IPP039N04LGXKSA1 Chip