Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP037N08N3GE8181XKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Číslo dílu
IPP037N08N3GE8181XKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO-220-3
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8110pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17251 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP037N08N3GE8181XKSA1
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Elektronické komponenty
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Odbyt
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Dodavatel
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Distributor
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Datová tabulka
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Fotky
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Cena
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Nabídka
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Nejnižší cena
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Vyhledávání
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Nákup
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Chip