Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPP023NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Číslo dílu
IPP023NE7N3GXKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO220-3-1
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 37.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28930 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPP023NE7N3GXKSA1
IPP023NE7N3GXKSA1 Elektronické komponenty
IPP023NE7N3GXKSA1 Odbyt
IPP023NE7N3GXKSA1 Dodavatel
IPP023NE7N3GXKSA1 Distributor
IPP023NE7N3GXKSA1 Datová tabulka
IPP023NE7N3GXKSA1 Fotky
IPP023NE7N3GXKSA1 Cena
IPP023NE7N3GXKSA1 Nabídka
IPP023NE7N3GXKSA1 Nejnižší cena
IPP023NE7N3GXKSA1 Vyhledávání
IPP023NE7N3GXKSA1 Nákup
IPP023NE7N3GXKSA1 Chip