Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPN70R2K1CEATMA1
MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
Číslo dílu
IPN70R2K1CEATMA1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-223-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223
Ztráta energie (max.)
5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
750V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
163pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42956 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPN70R2K1CEATMA1
IPN70R2K1CEATMA1 Elektronické komponenty
IPN70R2K1CEATMA1 Odbyt
IPN70R2K1CEATMA1 Dodavatel
IPN70R2K1CEATMA1 Distributor
IPN70R2K1CEATMA1 Datová tabulka
IPN70R2K1CEATMA1 Fotky
IPN70R2K1CEATMA1 Cena
IPN70R2K1CEATMA1 Nabídka
IPN70R2K1CEATMA1 Nejnižší cena
IPN70R2K1CEATMA1 Vyhledávání
IPN70R2K1CEATMA1 Nákup
IPN70R2K1CEATMA1 Chip