IPN50R800CEATMA1
CONSUMER
Číslo dílu
IPN50R800CEATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-223-3
Dodavatelský balíček zařízení
PG-SOT223
Ztráta energie (max.)
5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34489 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPN50R800CEATMA1
IPN50R800CEATMA1 Elektronické komponenty
IPN50R800CEATMA1 Odbyt
IPN50R800CEATMA1 Dodavatel
IPN50R800CEATMA1 Distributor
IPN50R800CEATMA1 Datová tabulka
IPN50R800CEATMA1 Fotky
IPN50R800CEATMA1 Cena
IPN50R800CEATMA1 Nabídka
IPN50R800CEATMA1 Nejnižší cena
IPN50R800CEATMA1 Vyhledávání
IPN50R800CEATMA1 Nákup
IPN50R800CEATMA1 Chip