Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
Číslo dílu
IPL65R660E6AUMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ E6
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-PowerTSFN
Dodavatelský balíček zařízení
Thin-Pak (8x8)
Ztráta energie (max.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15779 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPL65R660E6AUMA1
IPL65R660E6AUMA1 Elektronické komponenty
IPL65R660E6AUMA1 Odbyt
IPL65R660E6AUMA1 Dodavatel
IPL65R660E6AUMA1 Distributor
IPL65R660E6AUMA1 Datová tabulka
IPL65R660E6AUMA1 Fotky
IPL65R660E6AUMA1 Cena
IPL65R660E6AUMA1 Nabídka
IPL65R660E6AUMA1 Nejnižší cena
IPL65R660E6AUMA1 Vyhledávání
IPL65R660E6AUMA1 Nákup
IPL65R660E6AUMA1 Chip