Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPL65R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 8TSON
Číslo dílu
IPL65R1K5C6SATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ C6
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
Thin-PAK (5x6)
Ztráta energie (max.)
26.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43583 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPL65R1K5C6SATMA1
IPL65R1K5C6SATMA1 Elektronické komponenty
IPL65R1K5C6SATMA1 Odbyt
IPL65R1K5C6SATMA1 Dodavatel
IPL65R1K5C6SATMA1 Distributor
IPL65R1K5C6SATMA1 Datová tabulka
IPL65R1K5C6SATMA1 Fotky
IPL65R1K5C6SATMA1 Cena
IPL65R1K5C6SATMA1 Nabídka
IPL65R1K5C6SATMA1 Nejnižší cena
IPL65R1K5C6SATMA1 Vyhledávání
IPL65R1K5C6SATMA1 Nákup
IPL65R1K5C6SATMA1 Chip