IPL60R360P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Číslo dílu
IPL60R360P6SATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ P6
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-ThinPak (5x6)
Ztráta energie (max.)
89.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 370µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50736 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPL60R360P6SATMA1
IPL60R360P6SATMA1 Elektronické komponenty
IPL60R360P6SATMA1 Odbyt
IPL60R360P6SATMA1 Dodavatel
IPL60R360P6SATMA1 Distributor
IPL60R360P6SATMA1 Datová tabulka
IPL60R360P6SATMA1 Fotky
IPL60R360P6SATMA1 Cena
IPL60R360P6SATMA1 Nabídka
IPL60R360P6SATMA1 Nejnižší cena
IPL60R360P6SATMA1 Vyhledávání
IPL60R360P6SATMA1 Nákup
IPL60R360P6SATMA1 Chip