IPL60R199CPAUMA1
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
Číslo dílu
IPL60R199CPAUMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-PowerTSFN
Dodavatelský balíček zařízení
PG-VSON-4
Ztráta energie (max.)
139W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1520pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13219 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPL60R199CPAUMA1
IPL60R199CPAUMA1 Elektronické komponenty
IPL60R199CPAUMA1 Odbyt
IPL60R199CPAUMA1 Dodavatel
IPL60R199CPAUMA1 Distributor
IPL60R199CPAUMA1 Datová tabulka
IPL60R199CPAUMA1 Fotky
IPL60R199CPAUMA1 Cena
IPL60R199CPAUMA1 Nabídka
IPL60R199CPAUMA1 Nejnižší cena
IPL60R199CPAUMA1 Vyhledávání
IPL60R199CPAUMA1 Nákup
IPL60R199CPAUMA1 Chip