Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI80N06S3L06XK
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Číslo dílu
IPI80N06S3L06XK
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.9 mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9417pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14921 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI80N06S3L06XK
IPI80N06S3L06XK Elektronické komponenty
IPI80N06S3L06XK Odbyt
IPI80N06S3L06XK Dodavatel
IPI80N06S3L06XK Distributor
IPI80N06S3L06XK Datová tabulka
IPI80N06S3L06XK Fotky
IPI80N06S3L06XK Cena
IPI80N06S3L06XK Nabídka
IPI80N06S3L06XK Nejnižší cena
IPI80N06S3L06XK Vyhledávání
IPI80N06S3L06XK Nákup
IPI80N06S3L06XK Chip