Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Číslo dílu
IPI80N06S3L-08
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
105W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.9 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 55µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
134nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6475pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37914 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI80N06S3L-08
IPI80N06S3L-08 Elektronické komponenty
IPI80N06S3L-08 Odbyt
IPI80N06S3L-08 Dodavatel
IPI80N06S3L-08 Distributor
IPI80N06S3L-08 Datová tabulka
IPI80N06S3L-08 Fotky
IPI80N06S3L-08 Cena
IPI80N06S3L-08 Nabídka
IPI80N06S3L-08 Nejnižší cena
IPI80N06S3L-08 Vyhledávání
IPI80N06S3L-08 Nákup
IPI80N06S3L-08 Chip