Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPI111N15N3GAKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Číslo dílu
IPI111N15N3GAKSA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3230pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27593 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPI111N15N3GAKSA1
IPI111N15N3GAKSA1 Elektronické komponenty
IPI111N15N3GAKSA1 Odbyt
IPI111N15N3GAKSA1 Dodavatel
IPI111N15N3GAKSA1 Distributor
IPI111N15N3GAKSA1 Datová tabulka
IPI111N15N3GAKSA1 Fotky
IPI111N15N3GAKSA1 Cena
IPI111N15N3GAKSA1 Nabídka
IPI111N15N3GAKSA1 Nejnižší cena
IPI111N15N3GAKSA1 Vyhledávání
IPI111N15N3GAKSA1 Nákup
IPI111N15N3GAKSA1 Chip