IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
Číslo dílu
IPD80R4K5P7ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
13W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 500V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19362 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD80R4K5P7ATMA1
IPD80R4K5P7ATMA1 Elektronické komponenty
IPD80R4K5P7ATMA1 Odbyt
IPD80R4K5P7ATMA1 Dodavatel
IPD80R4K5P7ATMA1 Distributor
IPD80R4K5P7ATMA1 Datová tabulka
IPD80R4K5P7ATMA1 Fotky
IPD80R4K5P7ATMA1 Cena
IPD80R4K5P7ATMA1 Nabídka
IPD80R4K5P7ATMA1 Nejnižší cena
IPD80R4K5P7ATMA1 Vyhledávání
IPD80R4K5P7ATMA1 Nákup
IPD80R4K5P7ATMA1 Chip