Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Číslo dílu
IPD80R1K0CEATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
785pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35655 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD80R1K0CEATMA1
IPD80R1K0CEATMA1 Elektronické komponenty
IPD80R1K0CEATMA1 Odbyt
IPD80R1K0CEATMA1 Dodavatel
IPD80R1K0CEATMA1 Distributor
IPD80R1K0CEATMA1 Datová tabulka
IPD80R1K0CEATMA1 Fotky
IPD80R1K0CEATMA1 Cena
IPD80R1K0CEATMA1 Nabídka
IPD80R1K0CEATMA1 Nejnižší cena
IPD80R1K0CEATMA1 Vyhledávání
IPD80R1K0CEATMA1 Nákup
IPD80R1K0CEATMA1 Chip