Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Číslo dílu
IPD80N06S3-09
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 55µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12020 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD80N06S3-09
IPD80N06S3-09 Elektronické komponenty
IPD80N06S3-09 Odbyt
IPD80N06S3-09 Dodavatel
IPD80N06S3-09 Distributor
IPD80N06S3-09 Datová tabulka
IPD80N06S3-09 Fotky
IPD80N06S3-09 Cena
IPD80N06S3-09 Nabídka
IPD80N06S3-09 Nejnižší cena
IPD80N06S3-09 Vyhledávání
IPD80N06S3-09 Nákup
IPD80N06S3-09 Chip