IPD78CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Číslo dílu
IPD78CN10NGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
78 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 12µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
716pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30262 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD78CN10NGATMA1
IPD78CN10NGATMA1 Elektronické komponenty
IPD78CN10NGATMA1 Odbyt
IPD78CN10NGATMA1 Dodavatel
IPD78CN10NGATMA1 Distributor
IPD78CN10NGATMA1 Datová tabulka
IPD78CN10NGATMA1 Fotky
IPD78CN10NGATMA1 Cena
IPD78CN10NGATMA1 Nabídka
IPD78CN10NGATMA1 Nejnižší cena
IPD78CN10NGATMA1 Vyhledávání
IPD78CN10NGATMA1 Nákup
IPD78CN10NGATMA1 Chip