Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD70R600CEAUMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Číslo dílu
IPD70R600CEAUMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
86W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 0.21mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
474pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51563 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD70R600CEAUMA1
IPD70R600CEAUMA1 Elektronické komponenty
IPD70R600CEAUMA1 Odbyt
IPD70R600CEAUMA1 Dodavatel
IPD70R600CEAUMA1 Distributor
IPD70R600CEAUMA1 Datová tabulka
IPD70R600CEAUMA1 Fotky
IPD70R600CEAUMA1 Cena
IPD70R600CEAUMA1 Nabídka
IPD70R600CEAUMA1 Nejnižší cena
IPD70R600CEAUMA1 Vyhledávání
IPD70R600CEAUMA1 Nákup
IPD70R600CEAUMA1 Chip