Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3
Číslo dílu
IPD70N12S311ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-11
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
120V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.1 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4355pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15550 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD70N12S311ATMA1
IPD70N12S311ATMA1 Elektronické komponenty
IPD70N12S311ATMA1 Odbyt
IPD70N12S311ATMA1 Dodavatel
IPD70N12S311ATMA1 Distributor
IPD70N12S311ATMA1 Datová tabulka
IPD70N12S311ATMA1 Fotky
IPD70N12S311ATMA1 Cena
IPD70N12S311ATMA1 Nabídka
IPD70N12S311ATMA1 Nejnižší cena
IPD70N12S311ATMA1 Vyhledávání
IPD70N12S311ATMA1 Nákup
IPD70N12S311ATMA1 Chip