IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Číslo dílu
IPD70N10S3L12ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.5 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37034 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD70N10S3L12ATMA1
IPD70N10S3L12ATMA1 Elektronické komponenty
IPD70N10S3L12ATMA1 Odbyt
IPD70N10S3L12ATMA1 Dodavatel
IPD70N10S3L12ATMA1 Distributor
IPD70N10S3L12ATMA1 Datová tabulka
IPD70N10S3L12ATMA1 Fotky
IPD70N10S3L12ATMA1 Cena
IPD70N10S3L12ATMA1 Nabídka
IPD70N10S3L12ATMA1 Nejnižší cena
IPD70N10S3L12ATMA1 Vyhledávání
IPD70N10S3L12ATMA1 Nákup
IPD70N10S3L12ATMA1 Chip