Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Číslo dílu
IPD65R660CFDAATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
62.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
660 mOhm @ 3.22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 214.55µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
543pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14860 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD65R660CFDAATMA1
IPD65R660CFDAATMA1 Elektronické komponenty
IPD65R660CFDAATMA1 Odbyt
IPD65R660CFDAATMA1 Dodavatel
IPD65R660CFDAATMA1 Distributor
IPD65R660CFDAATMA1 Datová tabulka
IPD65R660CFDAATMA1 Fotky
IPD65R660CFDAATMA1 Cena
IPD65R660CFDAATMA1 Nabídka
IPD65R660CFDAATMA1 Nejnižší cena
IPD65R660CFDAATMA1 Vyhledávání
IPD65R660CFDAATMA1 Nákup
IPD65R660CFDAATMA1 Chip