IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
Číslo dílu
IPD65R650CEAUMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
86W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13903 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD65R650CEAUMA1
IPD65R650CEAUMA1 Elektronické komponenty
IPD65R650CEAUMA1 Odbyt
IPD65R650CEAUMA1 Dodavatel
IPD65R650CEAUMA1 Distributor
IPD65R650CEAUMA1 Datová tabulka
IPD65R650CEAUMA1 Fotky
IPD65R650CEAUMA1 Cena
IPD65R650CEAUMA1 Nabídka
IPD65R650CEAUMA1 Nejnižší cena
IPD65R650CEAUMA1 Vyhledávání
IPD65R650CEAUMA1 Nákup
IPD65R650CEAUMA1 Chip