IPD65R600C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
Číslo dílu
IPD65R600C6BTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10559 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD65R600C6BTMA1
IPD65R600C6BTMA1 Elektronické komponenty
IPD65R600C6BTMA1 Odbyt
IPD65R600C6BTMA1 Dodavatel
IPD65R600C6BTMA1 Distributor
IPD65R600C6BTMA1 Datová tabulka
IPD65R600C6BTMA1 Fotky
IPD65R600C6BTMA1 Cena
IPD65R600C6BTMA1 Nabídka
IPD65R600C6BTMA1 Nejnižší cena
IPD65R600C6BTMA1 Vyhledávání
IPD65R600C6BTMA1 Nákup
IPD65R600C6BTMA1 Chip