Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD65R250E6XTMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Číslo dílu
IPD65R250E6XTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ E6
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
208W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 400µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 1000V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47760 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD65R250E6XTMA1
IPD65R250E6XTMA1 Elektronické komponenty
IPD65R250E6XTMA1 Odbyt
IPD65R250E6XTMA1 Dodavatel
IPD65R250E6XTMA1 Distributor
IPD65R250E6XTMA1 Datová tabulka
IPD65R250E6XTMA1 Fotky
IPD65R250E6XTMA1 Cena
IPD65R250E6XTMA1 Nabídka
IPD65R250E6XTMA1 Nejnižší cena
IPD65R250E6XTMA1 Vyhledávání
IPD65R250E6XTMA1 Nákup
IPD65R250E6XTMA1 Chip