Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
Číslo dílu
IPD65R1K5CEAUMA1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
53W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37000 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD65R1K5CEAUMA1
IPD65R1K5CEAUMA1 Elektronické komponenty
IPD65R1K5CEAUMA1 Odbyt
IPD65R1K5CEAUMA1 Dodavatel
IPD65R1K5CEAUMA1 Distributor
IPD65R1K5CEAUMA1 Datová tabulka
IPD65R1K5CEAUMA1 Fotky
IPD65R1K5CEAUMA1 Cena
IPD65R1K5CEAUMA1 Nabídka
IPD65R1K5CEAUMA1 Nejnižší cena
IPD65R1K5CEAUMA1 Vyhledávání
IPD65R1K5CEAUMA1 Nákup
IPD65R1K5CEAUMA1 Chip