IPD65R1K4CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
Číslo dílu
IPD65R1K4CFDBTMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
28.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
262pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42326 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD65R1K4CFDBTMA1
IPD65R1K4CFDBTMA1 Elektronické komponenty
IPD65R1K4CFDBTMA1 Odbyt
IPD65R1K4CFDBTMA1 Dodavatel
IPD65R1K4CFDBTMA1 Distributor
IPD65R1K4CFDBTMA1 Datová tabulka
IPD65R1K4CFDBTMA1 Fotky
IPD65R1K4CFDBTMA1 Cena
IPD65R1K4CFDBTMA1 Nabídka
IPD65R1K4CFDBTMA1 Nejnižší cena
IPD65R1K4CFDBTMA1 Vyhledávání
IPD65R1K4CFDBTMA1 Nákup
IPD65R1K4CFDBTMA1 Chip