IPD640N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
Číslo dílu
IPD640N06LGBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
64 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 16µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5138 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD640N06LGBTMA1
IPD640N06LGBTMA1 Elektronické komponenty
IPD640N06LGBTMA1 Odbyt
IPD640N06LGBTMA1 Dodavatel
IPD640N06LGBTMA1 Distributor
IPD640N06LGBTMA1 Datová tabulka
IPD640N06LGBTMA1 Fotky
IPD640N06LGBTMA1 Cena
IPD640N06LGBTMA1 Nabídka
IPD640N06LGBTMA1 Nejnižší cena
IPD640N06LGBTMA1 Vyhledávání
IPD640N06LGBTMA1 Nákup
IPD640N06LGBTMA1 Chip