IPD60R385CPBTMA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
Číslo dílu
IPD60R385CPBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
385 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 340µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21601 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD60R385CPBTMA1
IPD60R385CPBTMA1 Elektronické komponenty
IPD60R385CPBTMA1 Odbyt
IPD60R385CPBTMA1 Dodavatel
IPD60R385CPBTMA1 Distributor
IPD60R385CPBTMA1 Datová tabulka
IPD60R385CPBTMA1 Fotky
IPD60R385CPBTMA1 Cena
IPD60R385CPBTMA1 Nabídka
IPD60R385CPBTMA1 Nejnižší cena
IPD60R385CPBTMA1 Vyhledávání
IPD60R385CPBTMA1 Nákup
IPD60R385CPBTMA1 Chip