IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
Číslo dílu
IPD60R360P7ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ P7
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
41W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
555pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19229 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD60R360P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1 Elektronické komponenty
IPD60R360P7ATMA1 Odbyt
IPD60R360P7ATMA1 Dodavatel
IPD60R360P7ATMA1 Distributor
IPD60R360P7ATMA1 Datová tabulka
IPD60R360P7ATMA1 Fotky
IPD60R360P7ATMA1 Cena
IPD60R360P7ATMA1 Nabídka
IPD60R360P7ATMA1 Nejnižší cena
IPD60R360P7ATMA1 Vyhledávání
IPD60R360P7ATMA1 Nákup
IPD60R360P7ATMA1 Chip