IPD60R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Číslo dílu
IPD60R1K4C6ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ C6
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
28.4W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26180 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD60R1K4C6ATMA1
IPD60R1K4C6ATMA1 Elektronické komponenty
IPD60R1K4C6ATMA1 Odbyt
IPD60R1K4C6ATMA1 Dodavatel
IPD60R1K4C6ATMA1 Distributor
IPD60R1K4C6ATMA1 Datová tabulka
IPD60R1K4C6ATMA1 Fotky
IPD60R1K4C6ATMA1 Cena
IPD60R1K4C6ATMA1 Nabídka
IPD60R1K4C6ATMA1 Nejnižší cena
IPD60R1K4C6ATMA1 Vyhledávání
IPD60R1K4C6ATMA1 Nákup
IPD60R1K4C6ATMA1 Chip