IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Číslo dílu
IPD60R1K0CEATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™ CE
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252-3
Ztráta energie (max.)
37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26056 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD60R1K0CEATMA1
IPD60R1K0CEATMA1 Elektronické komponenty
IPD60R1K0CEATMA1 Odbyt
IPD60R1K0CEATMA1 Dodavatel
IPD60R1K0CEATMA1 Distributor
IPD60R1K0CEATMA1 Datová tabulka
IPD60R1K0CEATMA1 Fotky
IPD60R1K0CEATMA1 Cena
IPD60R1K0CEATMA1 Nabídka
IPD60R1K0CEATMA1 Nejnižší cena
IPD60R1K0CEATMA1 Vyhledávání
IPD60R1K0CEATMA1 Nákup
IPD60R1K0CEATMA1 Chip