Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Číslo dílu
IPD60N10S412ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-313
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2470pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45947 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD60N10S412ATMA1
IPD60N10S412ATMA1 Elektronické komponenty
IPD60N10S412ATMA1 Odbyt
IPD60N10S412ATMA1 Dodavatel
IPD60N10S412ATMA1 Distributor
IPD60N10S412ATMA1 Datová tabulka
IPD60N10S412ATMA1 Fotky
IPD60N10S412ATMA1 Cena
IPD60N10S412ATMA1 Nabídka
IPD60N10S412ATMA1 Nejnižší cena
IPD60N10S412ATMA1 Vyhledávání
IPD60N10S412ATMA1 Nákup
IPD60N10S412ATMA1 Chip