Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Číslo dílu
IPD5N25S3430ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-313
Ztráta energie (max.)
41W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
430 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
422pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36445 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD5N25S3430ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1 Elektronické komponenty
IPD5N25S3430ATMA1 Odbyt
IPD5N25S3430ATMA1 Dodavatel
IPD5N25S3430ATMA1 Distributor
IPD5N25S3430ATMA1 Datová tabulka
IPD5N25S3430ATMA1 Fotky
IPD5N25S3430ATMA1 Cena
IPD5N25S3430ATMA1 Nabídka
IPD5N25S3430ATMA1 Nejnižší cena
IPD5N25S3430ATMA1 Vyhledávání
IPD5N25S3430ATMA1 Nákup
IPD5N25S3430ATMA1 Chip