Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Číslo dílu
IPD50N08S413ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-313
Ztráta energie (max.)
72W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 33µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1711pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34113 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD50N08S413ATMA1
IPD50N08S413ATMA1 Elektronické komponenty
IPD50N08S413ATMA1 Odbyt
IPD50N08S413ATMA1 Dodavatel
IPD50N08S413ATMA1 Distributor
IPD50N08S413ATMA1 Datová tabulka
IPD50N08S413ATMA1 Fotky
IPD50N08S413ATMA1 Cena
IPD50N08S413ATMA1 Nabídka
IPD50N08S413ATMA1 Nejnižší cena
IPD50N08S413ATMA1 Vyhledávání
IPD50N08S413ATMA1 Nákup
IPD50N08S413ATMA1 Chip