Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Číslo dílu
IPD50N06S4L12ATMA2
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-11
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21467 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD50N06S4L12ATMA2
IPD50N06S4L12ATMA2 Elektronické komponenty
IPD50N06S4L12ATMA2 Odbyt
IPD50N06S4L12ATMA2 Dodavatel
IPD50N06S4L12ATMA2 Distributor
IPD50N06S4L12ATMA2 Datová tabulka
IPD50N06S4L12ATMA2 Fotky
IPD50N06S4L12ATMA2 Cena
IPD50N06S4L12ATMA2 Nabídka
IPD50N06S4L12ATMA2 Nejnižší cena
IPD50N06S4L12ATMA2 Vyhledávání
IPD50N06S4L12ATMA2 Nákup
IPD50N06S4L12ATMA2 Chip