Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Číslo dílu
IPD30N08S2L21ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37776 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L21ATMA1 Elektronické komponenty
IPD30N08S2L21ATMA1 Odbyt
IPD30N08S2L21ATMA1 Dodavatel
IPD30N08S2L21ATMA1 Distributor
IPD30N08S2L21ATMA1 Datová tabulka
IPD30N08S2L21ATMA1 Fotky
IPD30N08S2L21ATMA1 Cena
IPD30N08S2L21ATMA1 Nabídka
IPD30N08S2L21ATMA1 Nejnižší cena
IPD30N08S2L21ATMA1 Vyhledávání
IPD30N08S2L21ATMA1 Nákup
IPD30N08S2L21ATMA1 Chip