IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Číslo dílu
IPD30N06S4L23ATMA2
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-11
Ztráta energie (max.)
36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54852 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2 Elektronické komponenty
IPD30N06S4L23ATMA2 Odbyt
IPD30N06S4L23ATMA2 Dodavatel
IPD30N06S4L23ATMA2 Distributor
IPD30N06S4L23ATMA2 Datová tabulka
IPD30N06S4L23ATMA2 Fotky
IPD30N06S4L23ATMA2 Cena
IPD30N06S4L23ATMA2 Nabídka
IPD30N06S4L23ATMA2 Nejnižší cena
IPD30N06S4L23ATMA2 Vyhledávání
IPD30N06S4L23ATMA2 Nákup
IPD30N06S4L23ATMA2 Chip