Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Číslo dílu
IPD30N06S2L13ATMA4
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-11
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12696 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4 Elektronické komponenty
IPD30N06S2L13ATMA4 Odbyt
IPD30N06S2L13ATMA4 Dodavatel
IPD30N06S2L13ATMA4 Distributor
IPD30N06S2L13ATMA4 Datová tabulka
IPD30N06S2L13ATMA4 Fotky
IPD30N06S2L13ATMA4 Cena
IPD30N06S2L13ATMA4 Nabídka
IPD30N06S2L13ATMA4 Nejnižší cena
IPD30N06S2L13ATMA4 Vyhledávání
IPD30N06S2L13ATMA4 Nákup
IPD30N06S2L13ATMA4 Chip